無論你喜不喜歡,市場追求高容量與低成本的快閃記憶體腳步並不停歇,INTEL 與 MICRON 正式宣布推出 QLC 紀錄形式快閃記憶體,採用第二代 3D 堆疊 64 層製程,每顆晶粒擁有 1Tb 儲存容量,相較過往 TLC 記憶體提升 33%。
Intel 與 Micron 這對快閃記憶體領域的合作夥伴,宣布推出第一款商業化的 QLC 紀錄形式快閃記憶體,每個 cell 可以儲存 4bit 資料,每顆晶粒容量達 1Tb,也就是 128GB,提供相當良好的儲存容量與面積比值。目前此 QLC 記憶體採用第二代 3D 堆疊 64 層製程,依然是 Floating Gate 儲存電子,並使用 CMOS under array 結構,且相較競爭對手僅安排 2 層 CMOS,這款 QLC 採用 4 層,可以同步對更多的 cell 進行讀寫操作增加效能。
▲Micron 利用正式商業化的 QLC 紀錄形式快閃記憶體,製作針對讀取密集工作環境的 5210 ION SSD。
與此同時,Micron 也利用這款 QLC 紀錄形式快閃記憶體,推出針對讀取密集型應用的 5210 ION SSD,該 ION 系列預計將落在 5200 MAX、PRO、ECO 系列 SSD 之下與傳統硬碟 HDD 之間,採用 7mm 高度、2.5 吋外觀、SATA 6Gb/s 介面,容量為 1.92TB 至 7.68TB,目前 Micron 並未公布較為詳細的 5210 ION SSD 資訊,只強調該系列應用可節省機櫃空間、降低耗電量。
▲5200 ECO、PRO、MAX 各系列與各容量 TBW 寫入壽命資訊,可以預計 ION 系列將比此數據更低。
5210 ION SSD 為企業級產品,Intel 和 Micron 雙方面目前都未有 QLC 實際應用在消費端市場產品的詳細時程,唯有 Intel 前陣子曾經藉由經銷商曝光 660p 型號產品,660p 將採 M.2 外觀規格 PCIe 3.0 x2 介面,並推出 512GB/1TB/2TB 容量版本,讀寫速度最快可達 1800MB/s 和 1100MB/s,相較 600p 表現好得多。
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